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第526章 溃败（第3页）

他看着吴国华：“国华，你先汇报测试结果。”

吴国华站起来，走到黑板前，拿起粉笔。

他在黑板上写了几行数字：

kl-sra流片颗，封装dul-cache流片o颗，封装颗，测试通过颗，良率

这两颗还算好，良率达到o以上，接下来，情势急转直下。

kl-c良率dul-ic良率

kl-b良率

kl-clk良率

kl-diag良率

kl-pdur良率

这五颗也还能接受，良率上了o，第一次流片，都能理解，接下来三颗的情况令人心碎。

kl-cu良率，仅有颗测试通过。

kl-cu-r良率，仅有颗测试通过。

kl-vu更是仅有颗独苗，良率。

吴国华放下粉笔，转过身，看着台下。

会议室里安静得能听见墙上挂钟的滴答声。

“颗芯片，没有一颗良率过百分之八十。控制类、运算类的大芯片，良率几乎可以忽略不计。kl-vu，三万多门电路，只通过了颗。”

他年轻的声音竟然显得有点很沉。

宋颜靠在椅背上，没说话。

陈光远翻开笔记本，看了几眼，抬起头：“戚工，表征实验室的切片分析做了没有？”

戚工站起来，走到黑板前，从文件夹里抽出一张照片，用磁铁吸在黑板上。

那是一张扫描电镜拍的芯片剖面照片，放大了几千倍，能看见金属线的截面、介质层的厚度、接触孔的形貌。

“这是kl-vu的切片。”戚工指着照片上的几个区域，“我们做了颗失效芯片的切片分析，问题集中在几个方面。”

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他在黑板上写了几行字。

“第一，金属线断线。颗芯片现了开路，位置在第二层金属的拐角处。电镜照片显示，金属线在拐角处明显变细，局部几乎断开。”

“第二，接触孔开路。颗芯片的接触孔没有完全打开，钨塞填充不良，接触电阻比正常值大了两个数量级。”

“第三，栅氧击穿。两颗芯片的栅氧化层有针孔缺陷，漏电严重。”

“第四，硅片裂纹。一颗芯片在划片过程中产生了微裂纹，延伸到有源区。”

“第五，封装问题。两颗芯片的键合线从焊盘上脱落。”

他把粉笔放下，转过身。

“这些都是制造和封装环节的问题。设计本身有没有问题，要结合电测结果分析。”

陈光远点了点头，看向刘高工。

刘高工站起来，走到黑板前，拿起粉笔。

“工艺方面，我补充几点。”

他在黑板上画了一个晶圆的示意图，从中心到边缘画了几个同心圆。

“第一，匀胶边缘效应。晶圆边缘的光刻胶厚度比中心薄了将近o，导致边缘区域的线条宽度偏细，有些地方甚至断线。失效分析中现的金属线断线，大概率是光刻胶厚度不均导致的。”

“第二，刻蚀负载效应。大面积的金属区域刻蚀率比稀疏区域慢，导致金属线宽度不均匀。kl-vu的金属线密度高，这个问题尤其严重。”

“第三，p凹陷。大面积的金属区域在化学机械抛光后会出现凹陷，影响后续光刻的焦深。kl-vu的大尺寸金属线就存在这个问题。”

“第四，离子注入的阴影效应。大角度注入时，光刻胶的侧壁会遮挡一部分注入区域，导致晶体管阈值电压不均匀。”

他放下粉笔，看着台下。